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DMN65D8LQ-13  与  DMN65D8LV-13  区别

型号 DMN65D8LQ-13 DMN65D8LV-13
唯样编号 A-DMN65D8LQ-13 A36-DMN65D8LV-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.87 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 310mA(Ta) -
驱动电压 5V,10V -
库存与单价
库存 0 9,850
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
130+ :  ¥0.4056
500+ :  ¥0.3692
2,500+ :  ¥0.3406
5,000+ :  ¥0.3185
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A

¥0.2355 

阶梯数 价格
220: ¥0.2355
1,500: ¥0.1475
3,000: ¥0.117
20,024 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated 通用MOSFET

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
500: ¥0.3692
2,500: ¥0.3406
5,000: ¥0.3185
9,850 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
519 对比
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A

暂无价格 0 对比
NX138BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX138BK_SOT23 N-Channel 0.31W 150℃ 1V,20V 60V 0.265A

¥0.1787 

阶梯数 价格
570: ¥0.1787
1,000: ¥0.1385
1,500: ¥0.1135
3,000: ¥0.1004
0 对比

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