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DMN3060LCA3-7  与  DMN3110LCP3-7  区别

型号 DMN3060LCA3-7 DMN3110LCP3-7
唯样编号 A-DMN3060LCA3-7 A3-DMN3110LCP3-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52mΩ
上升时间 - 2.8ns
Qg-栅极电荷 - 1.09nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 192 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V 650mV
正向跨导 - 最小值 - 3.3S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.677 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 X4-DSN1006-3 3-XFDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A(Ta) 3.2A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,8V
下降时间 - 9.5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 15V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 790mW 1.38W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 60mOhm@500mA,8V -
典型关闭延迟时间 - 16.5ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
驱动电压 1.8V,8V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.52nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

X4-DSN1006-3

暂无价格 0 当前型号
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3-XFDFN

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