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功率MOSFET   3-XFDFN

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制造商编号 DMN3110LCP3-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMN3110LCP3-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 连续漏极电流Id:3.2A Pd-功率耗散(Max):1.38W Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.52nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 3-XFDFN
连续漏极电流Id 3.2A
Pd-功率耗散(Max) 1.38W
Qg-栅极电荷 1.09nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 650mV
上升时间 2.8ns
下降时间 9.5ns
典型关闭延迟时间 16.5ns
典型接通延迟时间 4.8ns
正向跨导 - 最小值 3.3S
通道数量 1Channel
配置 Single
FET类型 N-Channel
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