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DMN3018SFGQ-7  与  DMN3018SFG-13  区别

型号 DMN3018SFGQ-7 DMN3018SFG-13
唯样编号 A-DMN3018SFGQ-7 A-DMN3018SFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A(Ta) 8.5A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 21mΩ@10A,10V 21mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 697 pF @ 15 V 697 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13.2 nC @ 10 V 13.2 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3018SFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.342 

阶梯数 价格
40: ¥1.342
100: ¥1.0362
1,000: ¥0.8635
1,410 对比
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¥0.6279 

阶梯数 价格
80: ¥0.6279
427 对比
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DFN3x3EP

暂无价格 10 对比
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DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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暂无价格 0 对比

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