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DMN3008SFG-13  与  RQ3E180BNTB  区别

型号 DMN3008SFG-13 RQ3E180BNTB
唯样编号 A-DMN3008SFG-13 A36-RQ3E180BNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 2W(Ta),20W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3690 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17.6A(Ta) 39A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3500pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 2,425
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.222
100+ :  ¥1.782
750+ :  ¥1.595
1,500+ :  ¥1.507
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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DFN3x3EP

¥1.298 

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40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
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DFN3x3EP

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
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8-PowerVDFN

¥2.616 

阶梯数 价格
60: ¥2.616
100: ¥2.3286
500: ¥2.3286
1,000: ¥2.319
2,000: ¥2.3094
3,000 对比
RQ3E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.782
750: ¥1.595
1,500: ¥1.507
2,425 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
1,000: ¥1.529
2,000: ¥1.441
2,000 对比

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