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功率MOSFET   8-PowerVDFN

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制造商编号 RQ3E180BNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-RQ3E180BNTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:39A(Tc) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),20W(Tc)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 39A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@18A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerVDFN
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库存 :  2,425

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.222
100+ ¥1.782
750+ ¥1.595
1,500+ ¥1.507
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  22+

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¥2.222 

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100: ¥1.782
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阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
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DFN5x6

¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
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暂无价格 0 对比
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