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DMN2400UFB4-7B  与  DMN2400UFB4-7  区别

型号 DMN2400UFB4-7B DMN2400UFB4-7
唯样编号 A-DMN2400UFB4-7B A-DMN2400UFB4-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH SOT23 N-Channel 550 mO 20 V 0.75 A Surface Mount Enhancement Mode MosFet - DFN-H4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 550mΩ@600mA,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 470mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - DFN
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.75A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 36pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

DFN

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DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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DMN2400UFB4-7R Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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