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DMG7430LFG-7  与  DMG7430LFGQ-7  区别

型号 DMG7430LFG-7 DMG7430LFGQ-7
唯样编号 A-DMG7430LFG-7 A36-DMG7430LFGQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ -
上升时间 21.2ns -
Qg-栅极电荷 26.7nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1281 pF @ 15 V
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 26.7 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 10.5A 10.5A(Ta)
配置 SingleTripleSourceQuadDrain -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 5.1ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@20A,10V
典型关闭延迟时间 22.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMG7430 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1281pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.7nC @ 10V -
典型接通延迟时间 5.2ns -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.068
100+ :  ¥1.584
1,000+ :  ¥1.32
2,000+ :  ¥1.1
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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