首页 > 商品目录 > > > > DMG6402LVT-7代替型号比较

DMG6402LVT-7  与  STT6N3LLH6  区别

型号 DMG6402LVT-7 STT6N3LLH6
唯样编号 A-DMG6402LVT-7 A3-STT6N3LLH6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ -
上升时间 6.2ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.75W -
Qg-栅极电荷 11.4nC -
栅极电压Vgs 1.5V -
典型关闭延迟时间 13.9ns -
封装/外壳 TSOT-26 SOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6A -
系列 DMG6402 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 498pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 2.8ns -
典型接通延迟时间 3.4ns -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 当前型号
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥0.8613 

阶梯数 价格
60: ¥0.8613
200: ¥0.594
5,995 对比
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

暂无价格 3,000 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
NTGS4141NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT23-6

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.254
750: ¥1.122
815 对比
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售