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DMG4800LFG-7  与  RF4E070BNTR  区别

型号 DMG4800LFG-7 RF4E070BNTR
唯样编号 A-DMG4800LFG-7 A-RF4E070BNTR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28.6mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 940mW(Ta) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 798 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.47 nC @ 5 V -
封装/外壳 U-DFN3030-8 HUML2020L8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.44A(Ta) 7A
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
460+ :  ¥1.1833
1,000+ :  ¥0.9682
1,500+ :  ¥0.7261
3,000+ :  ¥0.5379
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN3030-8

暂无价格 0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

¥2.3956 

阶梯数 价格
70: ¥2.3956
100: ¥1.792
500: ¥1.3895
1,000: ¥1.3128
2,000: ¥1.2458
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阶梯数 价格
80: ¥0.6279
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DFN3x3EP

暂无价格 10 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

¥1.1833 

阶梯数 价格
460: ¥1.1833
1,000: ¥0.9682
1,500: ¥0.7261
3,000: ¥0.5379
0 对比

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