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DMG4466SSSL-13  与  SI4410DYTRPBF  区别

型号 DMG4466SSSL-13 SI4410DYTRPBF
唯样编号 A-DMG4466SSSL-13 A-SI4410DYTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO Single N-Channel 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 478.9 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 10A(Ta)
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1585pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1585pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.5921 

阶梯数 价格
90: ¥0.5921
200: ¥0.4821
1,500: ¥0.4376
3,000: ¥0.4095
6,847 对比
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
393 对比
SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
AO4720 AOS 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
BSO110N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MSGXUMA1_4.9mm SOIC-8

暂无价格 0 对比

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