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DMG4466SSS-13  与  FDS6612A  区别

型号 DMG4466SSS-13 FDS6612A
唯样编号 A-DMG4466SSS-13 A-FDS6612A
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ 22m Ohms@8.4A,10V
上升时间 7.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs 25V ±20V
典型关闭延迟时间 14.6ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 8.4A
系列 DMG4466 PowerTrench®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 478.9pF @ 15V 560pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V 7.6nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 3.1ns -
典型接通延迟时间 2.9ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 当前型号
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.5921 

阶梯数 价格
90: ¥0.5921
200: ¥0.4821
1,500: ¥0.4376
3,000: ¥0.4095
6,847 对比
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.3397 

阶梯数 价格
490: ¥3.3397
1,000: ¥2.628
1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 对比

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