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DMG301NU-7  与  FDV301N  区别

型号 DMG301NU-7 FDV301N
唯样编号 A-DMG301NU-7 A32-FDV301N-0
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4Ω@400mA,4.5V 4 欧姆 @ 400mA,4.5V
漏源极电压Vds 25V 25V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs 8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.26A 220mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA 1.06V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 42pF @ 10V 9.5pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.36nC @ 4.5V 0.7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.06V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9.5pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.227
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG301NU-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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