首页 > 商品目录 > > > > DMG2305UX-7代替型号比较

DMG2305UX-7  与  DMG2305UXQ-7  区别

型号 DMG2305UX-7 DMG2305UXQ-7
唯样编号 A-DMG2305UX-7 A36-DMG2305UXQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4.2A,4.5V 52mΩ
上升时间 13.7ns 13.7ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.4W
Qg-栅极电荷 10.2nC 10.2nC
栅极电压Vgs ±8V 500mV
典型关闭延迟时间 79.3ns 79.3ns
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 4.2A
系列 DMG2305 DMG230
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 808pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 34.7ns 34.7ns
典型接通延迟时间 10.8ns 10.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 808pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.2nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
490+ :  ¥0.6976
1,000+ :  ¥0.5167
1,500+ :  ¥0.4306
3,000+ :  ¥0.3364
100+ :  ¥0.533
200+ :  ¥0.3432
1,500+ :  ¥0.2977
3,000+ :  ¥0.2639
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6976 

阶梯数 价格
490: ¥0.6976
1,000: ¥0.5167
1,500: ¥0.4306
3,000: ¥0.3364
0 当前型号
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4823 

阶梯数 价格
110: ¥0.4823
500: ¥0.3211
5,000: ¥0.2795
16,226 对比
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.4797 

阶梯数 价格
110: ¥0.4797
200: ¥0.3089
1,500: ¥0.268
9,676 对比
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.533 

阶梯数 价格
100: ¥0.533
200: ¥0.3432
1,500: ¥0.2977
3,000: ¥0.2639
6,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 440 对比
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售