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BUK768R1-100E,118  与  STH110N10F7-2  区别

型号 BUK768R1-100E,118 STH110N10F7-2
唯样编号 A-BUK768R1-100E,118 A32-STH110N10F7-2
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK STH110N10F7 Series 100 V 110 A 6.5 mOhm N-Ch STripFET™ F7 Power Mosfet - H2PAK-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 263W 150W(Tc)
输出电容 521pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 H2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 110A
系列 - DeepGATE™,STripFET™ VII
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
输入电容 5535pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5117pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.1mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 410
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税)
190+ :  ¥16.2501
400+ :  ¥12.5001
800+ :  ¥11.062
1+ :  ¥6.2748
2+ :  ¥6.0239
4+ :  ¥5.7828
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
800: ¥11.062
0 当前型号
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
410 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
IRFS4410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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