首页 > 商品目录 > > > > BUK766R0-60E,118代替型号比较

BUK766R0-60E,118  与  IPB80N08S2L-07  区别

型号 BUK766R0-60E,118 IPB80N08S2L-07
唯样编号 A-BUK766R0-60E,118 A-IPB80N08S2L-07
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.8mΩ@80A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 182W 300W(Tc)
输出电容 447pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 80A(Tc)
输入电容 3390pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6mΩ@10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5400pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 233nC @ 10V
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥11.983
100+ :  ¥8.8763
400+ :  ¥7.5223
800+ :  ¥6.9012
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
40 当前型号
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AOB2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IPB80N08S2L-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L07ATMA1_PG-TO263-3

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售