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BUK766R0-60E,118  与  IPB80N08S2L07ATMA1  区别

型号 BUK766R0-60E,118 IPB80N08S2L07ATMA1
唯样编号 A-BUK766R0-60E,118 A-IPB80N08S2L07ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 182W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5400pF @ 25V
输出电容 447pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 233nC @ 10V
输入电容 3390pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.8 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥11.983
100+ :  ¥8.8763
400+ :  ¥7.5223
800+ :  ¥6.9012
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
40 当前型号
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