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BSZ100N06LS3GATMA1  与  DMT6010LFG-7  区别

型号 BSZ100N06LS3GATMA1 DMT6010LFG-7
唯样编号 A-BSZ100N06LS3GATMA1 A36-DMT6010LFG-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),50W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.2W(Ta),41W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 30V 2090 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 41.3 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 23uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 13A(Ta),30A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Ta),20A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 3,925
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.388
100+ :  ¥2.607
1,000+ :  ¥2.277
2,000+ :  ¥2.145
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20: ¥3.388
100: ¥2.607
1,000: ¥2.277
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3,925 对比
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20: ¥11.6331
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59 对比

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