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BSZ0904NSIATMA1  与  RS1E200BNTB  区别

型号 BSZ0904NSIATMA1 RS1E200BNTB
唯样编号 A-BSZ0904NSIATMA1 A33-RS1E200BNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),37W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),25W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1463pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
FET功能 肖特基二极管(体) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3100pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0904NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0904NSI_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.298 

阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8844 

阶梯数 价格
60: ¥2.8844
100: ¥2.5681
500: ¥2.5681
1,000: ¥2.5586
2,000: ¥2.549
2,500 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥2.6831 

阶梯数 价格
60: ¥2.6831
100: ¥2.3861
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3765
2,000: ¥2.3669
2,360 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 30 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

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