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BSZ0904NSIATMA1  与  RS1E180BNTB  区别

型号 BSZ0904NSIATMA1 RS1E180BNTB
唯样编号 A-BSZ0904NSIATMA1 A33-RS1E180BNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),37W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1463pF @ 15V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
FET功能 肖特基二极管(体) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 2,360
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.2704
50+ :  ¥3.5743
100+ :  ¥3.0089
500+ :  ¥2.6256
1,000+ :  ¥2.549
2,000+ :  ¥2.4915
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0904NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0904NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
1,250: ¥0.792
2,500: ¥0.7194
5,000: ¥0.66
5,637 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
50: ¥3.7564
100: ¥3.191
500: ¥2.8173
1,000: ¥2.7406
2,000: ¥2.6831
2,500 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.2704 

阶梯数 价格
30: ¥5.2704
50: ¥3.5743
100: ¥3.0089
500: ¥2.6256
1,000: ¥2.549
2,000: ¥2.4915
2,360 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
30 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

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