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BSZ058N03LSGATMA1  与  RS1E170GNTB  区别

型号 BSZ058N03LSGATMA1 RS1E170GNTB
唯样编号 A-BSZ058N03LSGATMA1 A33-RS1E170GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),45W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.7mΩ
上升时间 - 4.8ns
Qg-栅极电荷 - 12nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 2.5V
正向跨导 - 最小值 - 13S
封装/外壳 8-PowerTDFN HSOP-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 17A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 3.7ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W
典型关闭延迟时间 - 27ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta),40A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 2,490
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.7433
50+ :  ¥3.0473
100+ :  ¥2.4819
500+ :  ¥2.0986
1,000+ :  ¥2.0219
2,000+ :  ¥1.9644
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥4.7433 

阶梯数 价格
40: ¥4.7433
50: ¥3.0473
100: ¥2.4819
500: ¥2.0986
1,000: ¥2.0219
2,000: ¥1.9644
2,490 对比
IRFHM8329TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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