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BSZ058N03LSGATMA1  与  BSZ058N03MSGATMA1  区别

型号 BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1
唯样编号 A-BSZ058N03LSGATMA1 A-BSZ058N03MSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),45W(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 15V 3100pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 40nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 20A,10V 5 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta),40A(Tc) 14A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.7433 

阶梯数 价格
40: ¥4.7433
50: ¥3.0473
100: ¥2.4819
500: ¥2.0986
1,000: ¥2.0219
2,000: ¥1.9644
2,490 对比
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 2,480 对比
IRFHM8329TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.1mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7426 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 29W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSZ058N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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