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BSZ040N04LSGATMA1  与  AON7408  区别

型号 BSZ040N04LSGATMA1 AON7408
唯样编号 A-BSZ040N04LSGATMA1 A36-AON7408
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),69W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Qgd(nC) - 1.6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 20V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 3x3 EP
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 64nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 18A
Ciss(pF) - 373
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 15.8
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 11W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 36uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Ta),40A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 7.1
库存与单价
库存 0 906
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.682
500+ :  ¥0.5759
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