首页 > 商品目录 > > > > BSO203SPHXUMA1代替型号比较

BSO203SPHXUMA1  与  DMP2022LSS-13  区别

型号 BSO203SPHXUMA1 DMP2022LSS-13
唯样编号 A-BSO203SPHXUMA1 A3-DMP2022LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta) -
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13mΩ@10A,10V
上升时间 - 9.9ns
Qg-栅极电荷 - 56.9nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±12V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) SOP-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.3mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 21 毫欧 @ 8.9A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 76.5ns
高度 - 1.50mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
典型关闭延迟时间 - 108ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 100uA -
系列 - DMP2022
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2444pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56.9nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 20V -
典型接通延迟时间 - 7.5ns
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSO203SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO203SP H_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 当前型号
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 5,000 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
1,250: ¥1.122
2,500: ¥1.0571
4,031 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售