首页 > 商品目录 > > > > BSC052N03LSATMA1代替型号比较

BSC052N03LSATMA1  与  RS1E200GNTB  区别

型号 BSC052N03LSATMA1 RS1E200GNTB
唯样编号 A-BSC052N03LSATMA1 A33-RS1E200GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ
上升时间 - 7.2ns
Qg-栅极电荷 - 16.8nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 2.5V
正向跨导 - 最小值 - 18S
封装/外壳 8-PowerTDFN HSOP-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 20A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 8.4ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W
典型关闭延迟时间 - 34.7ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),57A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 13.2ns
库存与单价
库存 0 53
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

暂无价格 53 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
BSC886N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC886N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC886N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC886N03LSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售