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AUIRLR3410TR  与  IRLR3410TRPBF  区别

型号 AUIRLR3410TR IRLR3410TRPBF
唯样编号 A-AUIRLR3410TR A-IRLR3410TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ 105mΩ@10A,10V
上升时间 53ns -
Qg-栅极电荷 34nC -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs 16V ±16V
正向跨导 - 最小值 7.7S -
封装/外壳 - D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
配置 SingleQuintSource -
长度 6.5mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
下降时间 26ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF 800pF @ 25V
高度 2.3mm -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W 79W(Tc)
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
典型接通延迟时间 7.2ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRLR3410TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.683
1,250: ¥1.452
2,500: ¥1.375
5,422 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
159 对比
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.4011 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4011
0 对比

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