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AOT266L  与  IPP029N06N  区别

型号 AOT266L IPP029N06N
唯样编号 A-AOT266L A-IPP029N06N
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@10V 2.7mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 15ns
Rds On(Max)@4.5V 4mΩ -
Qg-栅极电荷 - 66nC
Qgd(nC) 7 -
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 80S
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 140A 100A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 5650 -
配置 - Single
长度 - 10mm
下降时间 - 8ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 136W
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS5
典型接通延迟时间 - 17ns
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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