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AOT264L  与  IRFB3206PBF  区别

型号 AOT264L IRFB3206PBF
唯样编号 A-AOT264L A-IRFB3206PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 30 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V 3mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.5mΩ -
Qg-栅极电荷 - 120nC
Qgd(nC) 5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 23 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 140A 210A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 6960 -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 26 -
Td(off)(ns) 45 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 333W 300W
Qrr(nC) 155 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
Coss(pF) 840 -
Qg*(nC) 75* -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT264L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

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IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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