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AON6435  与  RQ3E075ATTB  区别

型号 AON6435 RQ3E075ATTB
唯样编号 A-AON6435 A33-RQ3E075ATTB-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 155 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10V 23mΩ@7.5A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 34mΩ -
Qgd(nC) 6 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 DFN 5x6 HSMT
连续漏极电流Id -34A 7.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1130 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 13.5 -
Td(off)(ns) 15 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 31W 15W(Tc)
Qrr(nC) 29 -
VGS(th) -3 -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 930pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.4nC @ 4.5V
Coss(pF) 240 -
Qg*(nC) 10 -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.8419
50+ :  ¥4.0151
100+ :  ¥3.8138
500+ :  ¥3.5551
1,000+ :  ¥3.4305
2,000+ :  ¥3.191
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥6.8419 

阶梯数 价格
30: ¥6.8419
50: ¥4.0151
100: ¥3.8138
500: ¥3.5551
1,000: ¥3.4305
2,000: ¥3.191
3,000 对比
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 200 对比
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥11.1715 

阶梯数 价格
1: ¥11.1715
100: ¥6.4571
1,500: ¥4.0938
3,000: ¥2.9598
95 对比
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