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AOD2N60A  与  STD2HNK60Z  区别

型号 AOD2N60A STD2HNK60Z
唯样编号 A-AOD2N60A A3-STD2HNK60Z
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4700mΩ@10V 4.8Ω@1A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 30V ±30V
Td(on)(ns) 16 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 2A 2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 295 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 268 -
Td(off)(ns) 28 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 57W 45W(Tc)
Qrr(nC) 1600 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
Coss(pF) 30 -
Qg*(nC) 6.5* -
库存与单价
库存 0 22,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2N60A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

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