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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | SuperMESH™ | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 280pF @ 25V | |
栅极电压Vgs | ±30V | |
Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8Ω@1A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | DPAK | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 2A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期: 请咨询客服 |
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
低损耗,极低的电容值(低至0.05pF)和极严格的电容公差(±0.02pF~±1pF)
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
频率范围广泛,不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |