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AOB292L  与  IRF100S201  区别

型号 AOB292L IRF100S201
唯样编号 A-AOB292L A36-IRF100S201
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 32 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@20A,10V 4.2mΩ@115A,10V
Qgd(nC) 13.5 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-263 TO-263AB
连续漏极电流Id 105A 192A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 6775 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9500pF @ 50V
Trr(ns) 50 -
Td(off)(ns) 48 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 300W 441W(Tc)
Qrr(nC) 380 -
VGS(th) 3.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9500pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 10V
Coss(pF) 557 -
Qg*(nC) 90* -
库存与单价
库存 749 1
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥14.6939
100+ :  ¥10.5882
400+ :  ¥9.1139
800+ :  ¥7.2
暂无价格
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