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AOB292L  与  IRFS4010TRRPBF  区别

型号 AOB292L IRFS4010TRRPBF
唯样编号 A-AOB292L A-IRFS4010TRRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 32 -
功率耗散(最大值) - 375W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@20A,10V -
Qgd(nC) 13.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9575pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 105A -
工作温度 -55℃~175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 215nC @ 10V
Ciss(pF) 6775 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.7 毫欧 @ 106A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Trr(ns) 50 -
Td(off)(ns) 48 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 300W -
Qrr(nC) 380 -
VGS(th) 3.4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 180A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 557 -
Qg*(nC) 90* -
库存与单价
库存 749 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥14.6939
100+ :  ¥10.5882
400+ :  ¥9.1139
800+ :  ¥7.2
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