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AOB286L  与  STP110N8F6  区别

型号 AOB286L STP110N8F6
唯样编号 A-AOB286L A3-STP110N8F6
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.7mΩ@20A,10V 6.5mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 167W 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263 TO-220
连续漏极电流Id 70A 110A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - STripFET™ F6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9130pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 623 12,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税)
1+ :  ¥7.7551
100+ :  ¥5.5882
400+ :  ¥4.8101
800+ :  ¥3.8
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB286L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥7.7551 

阶梯数 价格
1: ¥7.7551
100: ¥5.5882
400: ¥4.8101
800: ¥3.8
623 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥4.037 

阶梯数 价格
20: ¥4.037
100: ¥3.234
122 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比
AOB482L AOS 功率MOSFET

11A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±25V 6.9 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 80V

暂无价格 0 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比

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