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AO6424  与  DMG6402LVT-7  区别

型号 AO6424 DMG6402LVT-7
唯样编号 A-AO6424 A3-DMG6402LVT-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 35 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 31mΩ@5A,10V 30mΩ
上升时间 - 6.2ns
Rds On(Max)@4.5V 43mΩ -
Qg-栅极电荷 - 11.4nC
Qgd(nC) 1.3 -
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 TSOP-6 TSOT-26
连续漏极电流Id 5A 6A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 255 -
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
Trr(ns) 8.5 -
Td(off)(ns) 14.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.75W
Qrr(nC) 2.2 -
VGS(th) 2.4 -
典型关闭延迟时间 - 13.9ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMG6402
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 498pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.4nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3.4ns
Coss(pF) 45 -
Qg*(nC) 2.55 -
库存与单价
库存 2,979 24,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥1.5385
100+ :  ¥1.2245
1,000+ :  ¥0.8824
1,500+ :  ¥0.7595
3,000+ :  ¥0.6
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

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2,979 当前型号
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
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140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比

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