首页 > 商品目录 > > > > AO6404代替型号比较

AO6404  与  FDC637AN  区别

型号 AO6404 FDC637AN
唯样编号 A-AO6404 A36-FDC637AN
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20V 0.024 Ohm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 200 -
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10V 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@1.8V 33mΩ -
Rds On(Max)@4.5V 18mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 24mΩ -
Qgd(nC) 4.7 -
栅极电压Vgs 12V ±8V
Td(on)(ns) 2.5 -
封装/外壳 TSOP-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id 8.6A 6.2A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1810 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1125pF @ 10V
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 49 -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.6W(Ta)
Qrr(nC) 9.8 -
VGS(th) 1 Ohms -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1125pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 4.5V
Coss(pF) 232 -
Qg*(nC) 17.9 -
库存与单价
库存 3,000 1,956
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥1.5385
100+ :  ¥1.2245
1,000+ :  ¥0.8824
1,500+ :  ¥0.7595
3,000+ :  ¥0.6
20+ :  ¥2.541
100+ :  ¥2.024
750+ :  ¥1.815
1,500+ :  ¥1.716
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6404 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
3,000 当前型号
PMN16XNEX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMN16XNE_SOT457

¥1.0409 

阶梯数 价格
580: ¥1.0409
1,000: ¥0.8069
1,500: ¥0.6614
3,000: ¥0.5959
6,000 对比
FDC637AN ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
750: ¥1.815
1,500: ¥1.716
1,956 对比
FDC637AN ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
FDC637AN ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba 通用MOSFET

VS-6(2.9x2.8)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售