制造商编号 | TPC6012(TE85L,F,M) |
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制 造 商 | Toshiba(东芝) |
唯样编号 | A-TPC6012(TE85L,F,M) |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
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暂无数据
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) | |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20 毫欧 @ 3A,4.5V | |
Vgs(th) | 1.2V @ 200uA | |
Vgs(最大值) | ±12V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 630 pF @ 10 V | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9 nC @ 5 V | |
产品状态 | 最后售卖 | |
封装/外壳 | VS-6(2.9x2.8) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源极电压Vds | 20 V | |
连续漏极电流Id | 6A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,4.5V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |