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AO4468  与  IRF7413TRPBF  区别

型号 AO4468 IRF7413TRPBF
唯样编号 A-AO4468 A-IRF7413TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 2.5 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10.5A,10V 11mΩ@7.3A,10V
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 10.5A 13A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 740 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 25V
Trr(ns) 18 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 9 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 79nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 79nC @ 10V
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0637
2,500: ¥0.902
2,500 对比
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.4652 

阶梯数 价格
40: ¥1.4652
100: ¥1.1286
1,250: ¥0.9574
1,289 对比
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