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AO4406A  与  IRF7807ZTRPBF  区别

型号 AO4406A IRF7807ZTRPBF
唯样编号 A-AO4406A A-IRF7807ZTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.5mΩ@12A,10V 13.8mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 13A 11A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 770pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 770pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥1.7156
1,000+ :  ¥1.35
1,500+ :  ¥1.0558
3,000+ :  ¥0.8235
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