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2N7002H6327XTSA2  与  DMN65D8LQ-7  区别

型号 2N7002H6327XTSA2 DMN65D8LQ-7
唯样编号 A-2N7002H6327XTSA2 A-DMN65D8LQ-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 370mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3Ω@115mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 20pF @ 25V 22 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.87 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 310mA(Ta)
驱动电压 - 5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 500mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 300mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002H6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

2N7002 H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
609 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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