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小信号MOSFET   VMT

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RUM002N05T2L
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RUM002N05T2L
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
RUM002N05 Series 50 V 2.2 Ohm Surface Mount Silicon N-Channel MOSFET - VMT-3
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 150mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2Ω@200mA,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 VMT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 50V
连续漏极电流Id 0.2A
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商品简介

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库存 :  7,600 生产周期:14W

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥1.0715
100+ ¥0.5722

整包(请按8000的倍数下单)

8,000+ ¥0.4137
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:8,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-5天
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