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功率MOSFET   ±12V 1.13W -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 4.6A(Ta) 35mΩ@6A,10V

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制造商编号 DMN2058U-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN2058U-7-1
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
±12V 1.13W -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 4.6A(Ta) 35mΩ@6A,10V
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±12V 1.13W -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 4.6A(Ta) 35mΩ@6A,10V

¥0.2715 

阶梯数 价格
190: ¥0.2715
1,264 当前型号
 数据手册

N-Channel 1.13W ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.6A(Ta)

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
100: ¥0.5317
500: ¥0.4836
2,500: ¥0.4472
5,000: ¥0.4186
8,817 对比
 数据手册

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
3,466 对比
 数据手册

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 0 对比
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-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V
Pd-功率耗散(Max) 1.13W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 4.6A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@6A,10V
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