制造商编号 | SI3424CDV-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A3-SI3424CDV-T1-GE3 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Si3424CDV Series 30 V 26 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TSOP-6
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 8A(Tc) | |
FET类型 | N-Channel | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 mOhms @ 7.2A,10V | |
Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Tc) | |
封装/外壳 | TSOT-23-6 | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 30V |
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SI3424CDV-T1-GE3
自营库存:0
价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:1
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交期: 请咨询客服 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 510,000 |
LP2301LT1G | 393,000 |
PJA3430_R1_00001 | 63,000 |
CRSM013N06N4Z | 50,000 |
AONR21357_203 | 30,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3424CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 7.2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
¥0.6342
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9,795 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥0.8277
|
5,994 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃ |
¥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 |