制造商编号 | PMV35EPER |
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商品别名 | PMV35EPE |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PMV35EPER |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23 | |
FET类型 | P-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 72mΩ@4.5V,45mΩ@10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.48W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 20V,-2V | |
漏源极电压Vds | -30V | |
输入电容 | 793pF | |
输出电容 | 134pF | |
连续漏极电流Id | -5.3A |
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PMV35EPER
自营库存:9000
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥1.463 总价:¥58.52 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:40 | 倍数:1 |
生产日期 : 2年内
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2SK3018WT1G | 381,001 |
L2N7002LT1G | 210,550 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
S-L2N7002SLT1G | 51,000 |
PMZ600UNEYL | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV35EPER | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV35EPE_SOT23 P-Channel 0.48W 150℃ 20V,-2V -30V -5.3A |
¥1.463
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3,507 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V |
¥0.5187
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279,699 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3099L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 65mΩ 30V 1V P-Channel |
¥0.4147
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70,828 | 对比 | ||||||||||||
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AO3407A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -4.3A 1.4W 48mΩ@-4.3A,-10V -55℃~150℃ |
¥0.6149
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65,700 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.3A 1.38W 50mΩ 30V 1V |
¥0.6422
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23,436 | 对比 | ||||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
¥0.6292
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20,848 | 对比 |