制造商编号 | PSMN3R5-30YL,115 |
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商品别名 | PSMN3R5-30YL |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PSMN3R5-30YL,115 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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数据手册 |
PSMN3R5-30YL_SOT669 N-Channel 74W 175℃ 1.7V 30V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
BSC042N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
![]() |
数据手册 |
BSC042N03MSGATMA1_30V 17A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
19A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 3.7 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.08W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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16A(Ta),65A(Tc) N-Channel ±12V 4.2 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.1W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT669 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 3.5mΩ@10V,4.61mΩ@4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 74W | |
工作温度 | 175℃ | |
栅极电压Vgs | 1.7V | |
漏源极电压Vds | 30V | |
输入电容 | 2458pF | |
输出电容 | 532pF | |
连续漏极电流Id | 100A |
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PSMN3R5-30YL,115
自营库存:0
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 315,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
GP3134K | 24,000 |
LP3418DT2AG | 24,000 |
PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |