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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 85A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 4.5mΩ | |
| VGS(th) | 2.5 | |
| Ciss(pF) | 5305 | |
| Coss(pF) | 540 | |
| Crss(pF) | 22 Ohms | |
| Qg*(nC) | 23 | |
| Qgd(nC) | 3 | |
| Td(on)(ns) | 13 | |
| Td(off)(ns) | 47 | |
| Trr(ns) | 24.5 | |
| Qrr(nC) | 125 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON6242 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5x6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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BSC028N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC028N06LS3GATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-1 |
￥74.9344
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5,000 | 对比 | ||||||||||||||||||
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BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC028N06NSATMA1_5.9mm |
￥4.004
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209 | 对比 | ||||||||||||||||||
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BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC028N06LS3 G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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BSC031N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC031N06NS3GATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IRFH7085TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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