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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 170 mΩ @ 10A,10V | |
| 栅极电荷Qg | 25nC @ 10V | |
| 封装/外壳 | TO-220 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 250V |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
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