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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 14A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 14mΩ | |
| VGS(th) | 2.2 | |
| Ciss(pF) | 770 | |
| Coss(pF) | 240 | |
| Crss(pF) | 77 | |
| Qg*(nC) | 7.1 | |
| Qgd(nC) | 3.1 | |
| Td(on)(ns) | 5 | |
| Td(off)(ns) | 18 | |
| Trr(ns) | 11 | |
| Qrr(nC) | 23 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4492 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
IRF7413ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥3.289
|
73 | 对比 | ||||||||
|
NTMS4816NR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥1.3637
|
72 | 对比 | ||||||||
|
FDS6680A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC 8-SOIC |
￥0.6178
|
40 | 对比 | ||||||||
|
|
IRF7821TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||
|
IRF8721PBF-1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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