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IGBT晶体管   -55°C~175°C(TJ) TO-3P

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 STGWT60H65DFB
制 造 商 ST(意法半导体)
唯样编号 A36-STGWT60H65DFB
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
STGWT60H65DFB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-3P
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参数 参数值 操作
商品目录 IGBT晶体管
IGBT类型 沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值) 650V
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A
脉冲电流-集电极(Icm) 240A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) 2V @ 15V,60A
Pd-功率耗散(Max) 375W
开关能量 1.09mJ(开),626µJ(关)
输入类型 标准
25°C时Td(开/关)值 51ns/160ns
测试条件 400V,60A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 60ns
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 TO-3P
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库存 :  19

价格梯度 单价(含税)
2 + ¥26.499
10 + ¥22.847
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:26.499

总价:52.998

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:300 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:2 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  21+

+1

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