制造商编号 | BSS306NH6327XTSA1 |
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商品别名 | BSS306N H6327 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A36-BSS306NH6327XTSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.3A(Ta) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 57 毫欧 @ 2.3A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 11uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 275pF @ 15V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 5V | |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSS306NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS306N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
¥0.5395
|
28,440 | 对比 | |||||||||||||
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | |||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
¥0.9966
|
8,542 | 对比 | ||||||||||||||
IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
¥1.1404
|
5,500 | 对比 | |||||||||||||
IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
¥0.7326
|
4,677 | 对比 |